一、概述

       日本巖崎BH分析儀，軟磁材料測試儀SY-8219/SY-8218 磁特性的磁通密度B（以T為單位），磁場強度H（為A/m為單位）采用普遍的X-Y軸，這里被描述的曲線稱為B-H曲線。作為測量B-H曲線的方法，有直流的評估方法和交流的評估方法。

二、測試方法

       Iwatsu的BH分析儀采用CROSS-POWER方法（IEC62044-3），可實現(xiàn)精確，高精度的測量，在頻譜上嵌入min小化的相位誤差積分，電流檢測電阻和檢測電路補償，幅度和相位補償。

       半導體曲線圖示儀 CS3100/3200/3300（峰值電壓3000V，峰值電流1000A）, CS5000系列（峰值電壓5000V，峰值電流1000A），CS10000系列（峰值電壓10KV，峰值電流8000A），適用于IGBT、MOSFET、三極管、二極管等各種半導體特性測試的標準型號，采用電路圖模式顯示內(nèi)部的配線狀態(tài)，可通過確認實際波形，適時調(diào)整脈寬和測試點。具有能確認實際印加電流/電壓波形的Wave模式，可以像示波器一樣通過觀測模塊上實際印加的波形 （電流、電壓）來確定脈寬和實際測試點 （MEASUREMENT POINT），可通過確認實際波形，適時調(diào)整脈寬和測試點，避免了示波器的探棒影響，可確認到實時的異常信號，可非常容易地確認到模塊發(fā)熱等引起的振蕩等熱異常情況。

       隔離探針在通過光學隔離隔離輸入/輸出端子的系統(tǒng)中，在高電壓環(huán)境下以高分辨率和安全方式執(zhí)行波形測量有助于高壓環(huán)境測試的安全性使用差分探頭提高測量質(zhì)量，非常有效地測量抗噪性，支持各種物體，如雷擊浪涌和充電測試等，測量遠點（開關(guān)，運輸設備等），分析在遠處發(fā)生多次異常操作時的故障因素，（隔離單元可以設置在每個地方，總共多達4套）

三、特點

1、實現(xiàn)穩(wěn)定高精度測量采用標準的校準電阻，壓粉鐵芯等的鐵損極為小的材料也有可能穩(wěn)定并高精度測量。

2、采集的波形資料，本產(chǎn)品以8192點周速率采集的波形數(shù)據(jù)，是本公司比之過去的16倍，能夠高精度地測量矯頑磁力和剩余磁通密度等。

3、標準配置作業(yè)靠近脈沖勵磁可選擇性地在正弦波勵磁加上標準裝備脈沖勵磁（可達1MHz、50%占空比）。

4、配置可比較參數(shù)的設置能夠比較不同測量條件下同一產(chǎn)品的的B-H曲線。

5、裝載兩種類型的游標顯示任意點的測量值、導磁率用可能十字和傾斜的兩種光標。一般的十字外加“傾斜游標"是只合起B(yǎng)，B-H曲線的任意點的導磁率測量就是接受客戶建議進行功能優(yōu)化的，為測試提供方便。

四、鐵損是磁性材料本身丟失的電能，大致分為下面3類

1、磁滯損耗

2、渦流損耗

3、剩余損耗

       磁滯損耗是指鐵磁材料作為磁介質(zhì)，在一定勵磁磁場下產(chǎn)生的固有損耗；（在電能轉(zhuǎn)換磁能過程中所產(chǎn)生的損耗）；渦流損耗是指磁通發(fā)生交變時，鐵芯產(chǎn)生感應電動勢進而產(chǎn)生感應電流，感應電流呈旋渦狀，稱之為渦流；感應電流在鐵芯電阻上產(chǎn)生的損耗就是渦流損耗；剩余損耗是指除磁滯損耗和渦流損耗以外的損耗，由于所占比重較小，也可忽略不計。